内容简介

【作　者】叶良修编著
【形态项】 647
【出版项】 北京：高等教育出版社 , 2007.10
【ISBN号】978-7-04-022507-5
【中图法分类号】O47
【原书定价】44.00
【主题词】半导体物理学－高等学校－教材
【参考文献格式】 叶良修编著. 半导体物理学 上. 北京：高等教育出版社, 2007.10.

内容提要:
本书共十六章，分上下两册出版，上册主要包括一般教学中所涉及的比较基本的内容，包括结构和结合性质、半导体中的电子状态、载流子的平衡统计、电荷输运现象、过剩载流子、pn结、半导体的表面层及MIS结构、金属－半导体接触和异质节等八章.下册则收入了一些专题，包括载……

书籍目录

1章 晶格结构和结合性质
1.1 晶格的周期性
1.2 常见半导体的晶格结构
1.3 结合性质
1.4 晶格缺陷
1.5 半导体表面的再构
1章参考文献
2章 半导体中的电子状态
2.1 晶体中的能带
2.2 晶体中电子的运动 有效质量和有效质量近似
2.3 导电电子和空
2.4 常见半导体的能带结构
2.5 杂质和缺陷能级
2.6 局域态的晶格弛豫
2.7 重掺杂半导体
2.8 表面态
2章参考文献
3章 电子和空的统计平衡分布
3.1 费分布函数
3.2 栽流子浓度对费能的依赖关系
3.3 本征载流子浓度
3.4 含单一能级杂质情形的统计
3.5 补偿及多重能级情形的统计
3.6 简并情形的统计
3.7 化学势和费能
3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿
附录3.1 若干半导体的等效态密度(300K)
3章参考文献
4章 电荷输运现象
4.1 电导和霍尔效应的分析
4.2 载流子的散射
4.3 电导统计理论
4.4 霍尔效应的统计理论
4.5 磁阻
4.6 强电场下的载流子输运
4.7 漂移速度过冲和近弹道输运
附录4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁
附录4.2 玻尔兹曼积分一微分方程和弛豫时间的存在性
附录4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系
4章参考文献
5章 过剩载流子
5.1 过剩栽流子及其产生和复合
5.2 过剩载流子的扩散
5.3 过剩载流子的漂移和扩散
5.4 双极扩散和双极漂移
5.5 丹倍效应和光磁效应
5.6 表面复合对寿命的影响
5.7 复合机制和直接复合
5.8 间接复合
5.9 陷阱效应
5.10 空间电荷的弛豫
5章参考文献
6章 接触现象
6.1 同质和异质pn结势垒
6.2 金属-半导体接触：肖特基势垒
6.3 pn结电流：注入电流 势垒区产生复合电流
6.4 肖特基势垒电流 尖峰发射
6.5 势垒电容和扩散电容
6.6 隧道穿透势垒——隧道电流
6.7 光生伏应
6.8 雪崩击穿和齐纳击穿
6章 参考文献
7章 半导体表面层和MIS结构
7.1 半导体表面电荷层
7.2 MIS电容
7.3 界面态及其电容效应
7.4 场效应和表面电导
7.5 表面复合
附录7.1 半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为ys函数的一般表示式
7章参考文献
8章 微结构和晶格
8.1 半导体中的尺寸量子化和低维电子气
8.2 微结构和晶格的生长和形成
8.3 二维电子气的电荷输运
8.4 微结构中垂直于界面的输运 共振隧穿
8.5 一维系统的输运介观输运
8.6 有关量子点的输运现象
8.7 半导体晶格
8.8 晶格的输运
8.9 Rashba效应和自旋晶体管
8.10 碳纳管
8.11 异质结构的带阶
8.12 晶格失配的异质结构
8章参考文献
9章 半导体的光收和光反射
9.1 光的收和基本收边
9.2 基本收与能带结构
9.3 激子和激子收
9.4 杂质收
9.5 自由载流子收
9.6 晶格收和反射
9章参考文献
10章 半导体中的发光现象
10.1 自发发射和受激发射
10.2 发光光谱
10.3 微结构和晶格的光谱现象
10.4 发光二极管及相关问题
10.5 半导体激光器
10.6 单光子发射和量子点一微腔系统
10章参考文献
索引